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AFGB30T65SQDN

  • 描述:集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 40.78716 40.78716
200+ 15.78519 3157.03820
500+ 15.22819 7614.09500
800+ 14.95494 11963.95520
  • 库存: 0
  • 单价: ¥40.78717
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥40.79
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 开关能量 -
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 试验条件 400V, 30A, 6欧姆, 15V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 30A
  • 门电荷 56 nC
  • 最大功率 220瓦
  • 开通/关断延时 (25°C) 14.5ns/63.2ns
  • 反向恢复时长 (trr) 245 ns
  • 供应商设备包装 DPAK-3 (TO-263-3)

AFGB30T65SQDN 产品详情

AFGB30T65SQDN所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),AFGB30T65SQDN 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AFGB30T65SQDN价格参考¥40.787167,你可以下载 AFGB30T65SQDN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AFGB30T65SQDN规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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