FGHL50T65MQD
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 268 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 450
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 28.92200 | 28.92200 |
10+ | 25.38031 | 253.80317 |
30+ | 23.26791 | 698.03754 |
- 库存: 20
- 单价: ¥28.92200
-
数量:
- +
- 总计: ¥10,470.56
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大功率 268 W
- 最大整流电流 (Icm) 200 A
- 反向恢复时长 (trr) 32 ns
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.8V@15V,50A
- 试验条件 400V, 50A, 10欧姆, 15V
- 门电荷 94 nC
- 开关能量 1.05mJ(开),700J(关闭)
- 开通/关断延时 (25°C) 23ns/120ns
FGHL50T65MQD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGHL50T65MQD 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGHL50T65MQD价格参考¥28.922001,你可以下载 FGHL50T65MQD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGHL50T65MQD规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
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