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FGHL50T65MQD
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FGHL50T65MQD

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 268 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 450

数量 单价 合计
1+ 28.92200 28.92200
10+ 25.38031 253.80317
30+ 23.26791 698.03754
  • 库存: 20
  • 单价: ¥28.92200
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10,470.56
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大功率 268 W
  • 最大整流电流 (Icm) 200 A
  • 反向恢复时长 (trr) 32 ns
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.8V@15V,50A
  • 试验条件 400V, 50A, 10欧姆, 15V
  • 门电荷 94 nC
  • 开关能量 1.05mJ(开),700J(关闭)
  • 开通/关断延时 (25°C) 23ns/120ns
FGHL50T65MQD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGHL50T65MQD 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGHL50T65MQD价格参考¥28.922001,你可以下载 FGHL50T65MQD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGHL50T65MQD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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