英飞凌的隔离栅双极晶体管（IGBT）为iser提供了一系列全面的选项，以确保您的应用范围得到覆盖。高效率额定值使这一范围的IGBT能够用于广泛的应用，并且由于低开关损耗，可以支持各种开关频率。
IGBT与超快软恢复反并联二极管共同封装，用于桥接配置
应用
- 迷
- 抽水机
- 折射率
IRG4PH50UDPBF
- 描述:集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 单价: ¥85.84117
-
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- 总计: ¥85.84
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规格参数
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 供应商设备包装 TO-247AC
- 部件状态 过时的
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 1200伏
- 最大集电极电流 (Ic) 45 A
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大整流电流 (Icm) 180 A
- 最大功率 200瓦
- 反向恢复时长 (trr) 90 ns
- 开关能量 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
- 门电荷 160 nC
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 3.7V @ 15V, 24A
- 开通/关断延时 (25°C) 47ns/110ns
- 试验条件 800V, 24A, 5欧姆, 15V
IRG4PH50UDPBF 产品详情
Co-Pack IGBT超过21A，英飞凌
IRG4PH50UDPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRG5K100HF06A | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 170 A 最大功率: 405 W 供应商设备包装: 鲍威尔34 | ¥4,214.22567 |
| IRG5K100HF12A | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 620 W 供应商设备包装: 鲍威尔34 | ¥5,013.45468 |
 | IRGBC30F | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.10293 |
 | IRGP4263PBF | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.20769 |
| IRGP4072DPBF | IRGP4072D - IGBT WITH ULTRAFAST | ¥26.36416 | |
| IRGPS66160DPBF | IRGPS66160D - IGBT WITH ULTRAFAS | ¥82.85878 | |
| IRGB20B60PD1PBF | 英飞凌 (Infineon) | IRGB20B60 - DISCRETE IGBT WITH A | ¥21.6273 |
 | IRG8P45N65UD1PBF | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 45A CO-PAK-247 | ¥43.53103 |
 | IRG7PH35UD1MPBF | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 179 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥101.84966 |
| IRGB4620D | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥7.7875 |
IRG4PH50UDPBF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IRG4PH50UDPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRG4PH50UDPBF价格参考￥85.841170，你可以下载 IRG4PH50UDPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRG4PH50UDPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
