特色
- 行业中最坚固的
- 逻辑电平门驱动
- 低饱和电压
- 高自钳位电感开关能量
- >6kV ESD门保护
应用
- HID照明
IRGS14C40LTRLP
- 描述:集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 272
- 库存: 8
- 单价: ¥6.07027
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,651.11
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- IGBT型 -
- 反向恢复时长 (trr) -
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 开关能量 -
- 试验条件 -
- 最大整流电流 (Icm) -
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 430伏
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 输入类别 逻辑
- 门电荷 27 nC
- 供应商设备包装 TO-263AB
- 最大集电极电流 (Ic) 20A
- 最大功率 125瓦
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.75V@5V，14A
- 开通/关断延时 (25°C) 900ns/6s
IRGS14C40LTRLP 产品详情
IRGS14C40LTRLP是具有片上栅极-发射极和栅极-集电极钳位的IGBT。先进的IGBT工艺系列包括一个MOS门控N沟道逻辑电平器件，该器件适用于线圈插塞式汽车点火应用和小型发动机点火电路。独特的功能包括在栅极发射极和栅极集电极之间的片上有源电压钳，在点火电路中提供过电压保护能力。
IRGS14C40LTRLP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRG5K100HF06A | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 170 A 最大功率: 405 W 供应商设备包装: 鲍威尔34 | ¥4,214.22567 |
| IRG5K100HF12A | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 620 W 供应商设备包装: 鲍威尔34 | ¥5,013.45468 |
 | IRGBC30F | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.10293 |
 | IRGP4263PBF | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.20769 |
| IRGP4072DPBF | IRGP4072D - IGBT WITH ULTRAFAST | ¥26.36416 | |
| IRGPS66160DPBF | IRGPS66160D - IGBT WITH ULTRAFAS | ¥82.85878 | |
| IRGB20B60PD1PBF | 英飞凌 (Infineon) | IRGB20B60 - DISCRETE IGBT WITH A | ¥21.6273 |
 | IRG8P45N65UD1PBF | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 45A CO-PAK-247 | ¥43.53103 |
 | IRG7PH35UD1MPBF | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 179 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥101.84966 |
| IRGB4620D | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥7.7875 |
IRGS14C40LTRLP所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IRGS14C40LTRLP 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRGS14C40LTRLP价格参考￥6.070274，你可以下载 IRGS14C40LTRLP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRGS14C40LTRLP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
