IRG4BC30U-S

可靠性报告是自实施可靠性计划以来整理的测试数据的汇总。该报告将定期更新，通常每季度更新一次。本报告的未来出版物还将酌情包括其他信息，以帮助用户解释所提供的数据。该计划仅涵盖牛津荷兰路IRGB的IGBT/CoPack制造产品。本报告中提供的可靠性数据适用于TO247和TO220型包装。

适配率/等效设备小时数
传统上，可靠性结果以平均失效时间或中位失效时间表示。虽然这些结果有其价值，但它们并不一定会告诉设计师他最需要知道什么。例如，告诉工程师一半特定设备的失效时间。显然，没有设计师希望在合理的设备寿命内有50%的故障率。因此，更令人感兴趣的是小得多的设备发生故障的时间，例如1%或0.1%。例如，在给定的应用中，五年内每一百台设备发生一次故障是设备可接受的故障率，设计者知道，每台设备发生1%的故障所需的时间，那么五年内可能发生的故障不超过0.1%。因此，IGBT/CoPack可靠性或运行寿命数据以在给定运行条件下产生规定数量故障所需的时间表示。

使用IGBT可靠性信息
可靠性是指半导体器件在特定时间段内在给定环境中执行其特定功能的概率。可靠性是指随时间和环境条件变化的质量。
可靠性可以定义为在特定环境下，在给定时间段内所需功能无故障运行的概率。半导体的可靠性已被广泛研究，从这些工作中产生的数据在工业中被广泛用于估计系统寿命的概率。特定半导体器件的可靠性对于制造中使用的技术工艺和施加到器件上的外部应力是独特的。
为了了解特定产品（如IGBT）的可靠性，确定与IGBT遇到的每个环境应力相关的故障率非常有用。
本报告中报告的值为60%的置信上限和90°C工作温度下的等效装置小时数。已经表明，半导体的故障率一般是。当长时间跟踪时，在给定的一组环境条件下，呈现出所谓的“浴缸曲线”。

IGBT结构
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的硅截面，称为集电极的端子实际上是PNP的发射极。尽管它与功率MOSFET的横截面相似，但这两个晶体管的操作却有根本不同，IGBT是少数载流子器件。除了P+衬底实际上与功率MOSFET相同之外，这两种器件共享类似的多晶硅栅极结构和具有N+源极接触的P阱。在这两种器件中，P阱下的N型材料在厚度和电阻率上都被定尺寸，以维持器件的全电压额定值。
然而，尽管有许多相似之处，IGBT的物理操作更接近双极晶体管，而不是功率MOSFET。这是由于P+衬底负责将少数载流子注入到N区和由此产生的电导率调制，很大一部分传导损耗发生在N区，通常在500v器件中为70%。

应用