9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT25GN120SG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT25GN120SG参考价格为7.24000美元。微芯片技术APT25GN120SG封装/规格：IGBT 1200V 67A 272W D3PAK。您可以下载APT25GN120SG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT25GN120B2DQ2G是IGBT 1200V 67A 272W TMAX，包括管封装，它们设计用于to-247-3变体封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，功率最大设计用于272W，以及67A集电器Ic Max，该器件还可以用作1200V电压收集器-发射极击穿最大值。此外，IGBT类型为NPT，沟槽场阻，该器件提供75A电流收集器脉冲Icm，该器件在最大Vge Ic时具有2.1V@15V，25A的Vce，开关能量为2.15μJ（关断），栅极电荷为155nC，25°C时的Td为22ns/280ns，测试条件为800V，25A，4.3欧姆，15伏。
APT25GN120BG是IGBT 1200V 67A 272W TO247，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、25A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于800V、25V、1欧姆、15V，提供25°C的Td开-关特性，如22ns/280ns，开关能量设计为在2.15μJ（关）下工作，除了TO-247[B]供应商器件封装外，该器件还可以用作272W最大功率。此外，封装为管式，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有安装型通孔，输入型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为155nC，集流器脉冲Icm为75A，集流器Ic Max为67A。
APT25GN120BRDQ1G，带有APT制造的电路图。APT25GN220BRDQ1g采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
