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IKP20N60T

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 41 A 最大功率: 166 W 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 28

数量 单价 合计
100+ 8.72707 872.70790
  • 库存: 3800
  • 单价: ¥8.72708
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥244.36
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大整流电流 (Icm) 60 A
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 包装/外壳 至220-3
  • 门电荷 "120 NC"
  • 最大集电极电流 (Ic) 41 A
  • 最大功率 166 W
  • 供应商设备包装 PG-TO220-3
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.05V @ 15V, 20A
  • 开通/关断延时 (25°C) 18ns/199ns
  • 试验条件 400V, 20A, 12欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 41 ns
  • 开关能量 310J (on), 460J (off)

IKP20N60T 产品详情

600 V,20 A硬开关TRENCHSTOP™ IGBT3与TO220封装中的全额定续流二极管共同封装,由于沟槽单元和场阻概念的结合,导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷,达到了最高效率。

特色

  • 降低传导损耗的最低VCEsat压降
  • 低开关损耗
  • 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换
  • 非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
  • 高强度,温度稳定
  • 低EMI发射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布
  • 最高效率–低传导和开关损耗
  • 600 V和1200 V的综合产品组合,设计灵活
  • 设备可靠性高

应用

  • 工业加热和焊接
  • 太阳能系统解决方案
  • 不间断电源(UPS)
  • 房间空调器
  • 电机控制和驱动
IKP20N60T所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKP20N60T 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKP20N60T价格参考¥8.727079,你可以下载 IKP20N60T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKP20N60T规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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