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FGA6560WDF

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 306瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 103

数量 单价 合计
1+ 24.88637 24.88637
10+ 22.06984 220.69841
30+ 20.39883 611.96514
90+ 18.70681 1683.61353
  • 库存: 100
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,926.80
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 120 A
  • 最大整流电流 (Icm) 180 A
  • 供应商设备包装 TO-3PN
  • 门电荷 84 nC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 60A
  • 反向恢复时长 (trr) 110纳秒
  • 最大功率 306瓦
  • 开关能量 2.46mJ (on), 520J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 25.6ns/71ns
  • 试验条件 400V, 60A, 6欧姆, 15V

FGA6560WDF 产品详情

Fairchild FGA6560WDF 650V 60A场停沟IGBT采用新型场停IGBT技术。这一新系列的场停止第三代IGBT为低传导和开关损耗至关重要的焊机应用提供了最佳性能。

特色

  • 最高结温:TJ=175°C
  • 正温度系数,便于并联操作
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat)=1.8 V(典型值)@IC=60 A
  • 100%的部件经过ILM测试(1)
  • 高输入阻抗
  • 快速切换
  • 符合RoHS
FGA6560WDF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGA6560WDF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGA6560WDF价格参考¥24.886373,你可以下载 FGA6560WDF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGA6560WDF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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