XPT™ IXYS的一系列分立IGBT采用极轻穿透薄晶圆技术,从而降低热阻和能量损耗。这些器件提供了低尾电流的快速切换时间,并提供了各种行业标准和专有封装。
高功率密度和低VCE(sat)
方形反向偏置安全工作区(RBSOA),达到额定击穿电压
10usec的短路能力
正导通状态电压温度系数
可选共包装Sonic FRD™ 或HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高压组件
特色
- 由于ON状态电压的正温度系数,易于并联
- 薄晶圆技术与XPT设计相结合,可实现具有竞争力的低VCE(饱和)
- 极低的栅极电荷
- 低电磁干扰
- 3x IC的方形RBSOA
- 额定短路10µs
- 声波的™ 二极管-低工作正向电压,快速和软反向恢复
应用
- 蓄电池充电器
- 电动自行车
- 灯镇流器
- 功率逆变器
- 功率因数校正(PFC)电路
- 开关模式电源
- 不间断电源(UPS)
- 焊接机