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FGH40T120SMD是IGBT 1200V 80A 555W TO247-3，包括管封装，设计用于0.225401盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-247供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为555W，该设备具有65ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为80A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，40A，开关能量为2.7mJ（on），1.1mJ（关），栅极电荷为370nC，25°C时的Td为40ns/475ns，测试条件为600V、40A、10 Ohm、15V，Pd功耗为555 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，25℃时的连续集电极电流为80A，栅极发射极漏电流为+/-400nA，最大栅极发射极电压为+/-25V。
FGH40T100SMD是IGBT 1000V 80A 333W TO247-3，包括1000V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.3V@15V、40A Vce运行，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，提供600V、40A、10欧姆、15V、Td开-关25°C等测试条件功能。设计为在29ns/285ns以及2.35mJ（开）下工作，1.15mJ（关闭）开关能量，该装置也可用作TO-247-3供应商装置包。此外，反向恢复时间trr为78ns，该设备的最大功率为333W，该设备具有333W的Pd功耗，包装为管状，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为500nA，栅极电荷为265nC，集电极脉冲Icm为120A，集电极Ic Max为80A，25 C时的连续集电极电流为80A；集电极-发射极最大电压VCEO Max为1000V，集电极-发射极饱和电压为2.3V。
FGH40T100SMD_F155，带有电路图，包括80A集流器Ic Max，它们设计为与120A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于398nC的栅极电荷，该398nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，设备以333W最大功率提供，设备具有78ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-247-3，开关能量为2.35mJ（开）、1.15mJ（关），25°C时的Td为29ns/285ns，测试条件为600V、40A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic为2.3V@15V、40A，电压收集器-发射极击穿最大值为1000V。
