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APT26F120L是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括卷轴封装，它们设计为以0.373904盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Power MOS 8等商标功能，封装盒设计为在to-264-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为48 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为27 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为480mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型接通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为300nC，正向跨导最小值为31S，沟道模式为增强。
APT26M100JCU2是Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-SiC。APT26M100JCU2以SOT-227封装形式提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-SiC、N沟道1000V 26A（Tc）543W（Tc）底盘安装SOT-227、Trans MOSFET N-CH 1KV 26A 4引脚SOT-227。
APT26M100JCU3是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-SiC。APT26M100JCU3在SOT-227封装中提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-SiC，N通道1000V 26A（Tc）543W（Tc）底盘安装SOT-227。
