9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT25GR120BD15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT25GR120BD15参考价格为6.39000美元。Microchip Technology APT25GR120BD15封装/规格：IGBT 1200V 75A 521W TO247。您可以下载APT25GR120BD15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT25GR120B是IGBT 1200V 75A 521W TO247，包括散装封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计为在to-247中工作，以及521W最大功率，该设备也可以用作75A电流收集器Ic Max。此外，集电极-发射极击穿最大值为1200V，该器件采用NPT IGBT类型，该器件具有100A集电极脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V，25A，开关能量为742μJ（开），427μJ，栅极电荷为203nC，25°C下的Td为16ns/122ns，测试条件为600V，25A、4.3欧姆，15V。
APT25GP90BG是IGBT 900V 72A 417W TO247，包括900V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、25A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于600V、25A、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如13ns/55ns，开关能量设计为在370μJ（关）下工作，以及TO-247[B]供应商器件包，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，功率最大值为417W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为PT，栅极电荷为110nC，集流器脉冲Icm为110A，集流器Ic最大值为72A。
APT25GP90BDQ1G，带有APT制造的电路图。APT25GT90BDQ1g可在模块封装中获得，是模块的一部分，IGBT PT 900V 72A 417W通孔TO-247[B]，Trans IGBT芯片N-CH 900V 72B 417000mW 3引脚（3+Tab）TO-247，IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-PT功率MOS 7-Combi。
