9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT35GN120BG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT35GN120BG参考价格7.78000美元。微芯片技术APT35GN120BG封装/规格：IGBT 1200V 94A 379W TO247。您可以下载APT35GN120BG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT35GA90B是IGBT 900V 63A 290W TO-247，包括功率MOS 8？系列，它们设计用于管式包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-247-3，该产品提供标准等输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-247[B]供应商设备包，该设备也可作为290W最大功率使用。此外，集电器Ic最大值为63A，该器件提供900V电压收集器-发射器击穿最大值，该器件具有IGBT类型的PT，电流收集器脉冲Icm为105A，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V，18A，开关能量为642μJ（开），382μJ（关），栅极电荷为84nC，25°C下的Td为12ns/104ns，测试条件为600V，18A、10欧姆，15V。
APT35GA90BD15是IGBT 900V 63A 290W TO247，包括900V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.1V@15V、18A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于600V、18A、10 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如12ns/104ns，开关能量设计为642μJ（开）、382μJ（关），除了TO-247[B]供应商设备包外，该设备还可作为290W最大功率使用。此外，该设备的包装为Tube，该设备在TO-247-3封装盒中提供，该设备具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为84nC，集电器脉冲Icm为105A，集电器Ic最大值为63A。
APT35DL120HJ是二极管模块1.2KV SOT227，包括35A直流正向电流（如果最大），它们设计为与单相二极管类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于提供SOT-227-4、miniBLOC等封装外壳功能的螺柱底座，封装设计为散装工作，以及1200V电压峰值反向最大值。
