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APT40GR120B是IGBT 1200V 88A 500W TO247，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-24 7-3，以及500W最大功率，该器件还可以用作88A集电器Ic Max。此外，集电器-发射极击穿最大值为1200V，该器件为NPT IGBT型，该器件具有160A集电器脉冲Icm，最大Vce Vge Ic为3.2V@15V，40A，开关能量为1.38mJ（开），906μJ（关），栅极电荷为210nC，25°C时的Td为22ns/163ns，测试条件为600V、40A、4.3欧姆、15V。
APT40GP90J是IGBT 900V 68A 284W SOT227，包括900V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、40A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于ISOTOPR，提供POWER MOS 7R等系列功能，功率最大值设计为284W，以及SOT-227-4、miniBLOC封装外壳，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供3.3nF@25V输入电容Cies Vce，该设备具有输入标准，IGBT类型为PT，集电器Ic最大值为68A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APT40GP90JDQ2是IGBT 900V 64A 284W SOT227，包括单一配置，它们设计用于350μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于64A，提供IGBT类型功能，如PT，输入设计用于标准，以及3.3nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用ISOTOP封装外壳，该器件最大功率为284W，系列为Power MOS 7R，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，40A，集电极-发射极击穿最大值为900V。
