MGD623N是一种600V沟槽IGBT。Sanken原有的沟槽结构减少了栅极电容，实现了高速开关和开关损耗的降低。因此，IGBT可以提高电路的效率。
特色
- 低饱和电压
- 高速切换
- 集成低VF快速恢复二极管
- 裸引线框架：无铅（符合RoHS）
应用
- 微波炉
- IH炊具
- 逆变器电路
MGD623N
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 510
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 510+ | 23.06776 | 11764.56117 |
- 库存: 0
- 单价: ¥23.06777
-
数量:
- +
- 总计: ¥11,764.56
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 开关能量 -
- 供应商设备包装 TO-3P
- 集电极击穿电压 600 V
- 最大整流电流 (Icm) 100 A
- 门电荷 -
- 最大集电极电流 (Ic) 50 A
- 包装/外壳 TO-3P-3全套
- 最大功率 150瓦
- 反向恢复时长 (trr) 300纳秒
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 50A
- 制造厂商 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 开通/关断延时 (25°C) 75ns/300ns
- 试验条件 300V, 50A, 39欧姆, 15V
MGD623N 产品详情
MGD623N 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MGDS4-00005-P | 泰科 (TE) | MGDS4-00005, S-L4.7ISAT2.8IRMS2. | ¥8.41495 |
 | MGDT100100-SM | 威世达勒 (Vishay Dale) | PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1 : | ¥99.01044 |
 | MGDT100100LF | 威世达勒 (Vishay Dale) | PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1 : | ¥90.10168 |
 | MGDT100125LF | 威世达勒 (Vishay Dale) | PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1.25 | ¥90.60868 |
 | MGDT100125 | 威世达勒 (Vishay Dale) | PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1.25 | ¥90.60868 |
 | MGDT100100 | 威世达勒 (Vishay Dale) | PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1 : | ¥90.10168 |
 | MGDT100125-SM | 威世达勒 (Vishay Dale) | PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1.25 | ¥109.22293 |
 | MGDU4-00002-P | 泰科无源产品 (Passive Product) | COMMON MODE CHOKE | ¥18.39697 |
| MGDU5-00012-P | 泰科无源产品 (Passive Product) | COMMON MODE CHOKE | ¥18.4694 |
| MGDU3-00015-P | 泰科无源产品 (Passive Product) | COMMON MODE CHOKE | ¥8.1626 |
MGD623N所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），MGD623N 由 三垦电气株式会社 (Sanken) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MGD623N价格参考￥23.067767，你可以下载 MGD623N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MGD623N规格参数、现货库存、封装信息等信息！
三垦电气株式会社 (Sanken)
Sanken Electric Co.，Ltd.是全球领先的模拟功率半导体产品供应商，设计和制造范围广泛的电源管理IC、电机控制IC、LED照明IC以及高品质的汽车半导体器件和分立元件。
