使用专有的薄晶圆XPT设计™ 这些器件显示出诸如降低热阻、低尾电流、低能量损耗和高速开关能力等特性。由于其导通电压的正温度系数,这些高压IGBT可以并联使用,与串联连接的低电压器件相比,这提供了经济高效的解决方案。因此,这将减少相关的栅极驱动电路,简化设计,提高整个系统的可靠性。可选的共封装快速恢复二极管具有较低的反向恢复时间,并经过优化以产生平滑的开关波形和显著降低的电磁干扰(EMI)。
特色
- 薄晶圆XPT™ 技术
- 低导通状态电压VCE(sat)
- 共封装快速恢复二极管
- VCE的正温度系数(sat)
- 国际标准尺寸高压封装
应用
- 脉冲发生器电路
- 激光和X射线发生器
- 高压电源
- 高压试验设备
- 电容器放电电路
- 交流开关
优势:
- 更高的效率
- 消除多个串联设备
- 提高电力系统的可靠性