起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 45.12326 | 45.12326 |
| 10+ | 40.53851 | 405.38511 |
| 100+ | 33.21376 | 3321.37670 |
| 500+ | 29.62201 | 14811.00600 |
| 1000+ | 29.62201 | 29622.01200 |
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英飞凌600 V，50 A单TRENCHSTOP™ TO263 D2Pak封装中的IGBT3由于沟槽单元和场阻概念的结合，导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
潜在应用
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IGB01N120H2 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥13.69381 |
| IGB50N65S5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥32.72642 |
| IGB50N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥54.24977 |
| IGB15N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥16.58391 |
| IGB03N120H2 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥55.1746 |
| IGB15N65S5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥6.90471 |
| IGB20N65S5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥18.55969 |
| IGB50N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥32.72642 |
| IGB20N60H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥18.42306 |
| IGB10N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥8.3445 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
