9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGY75T120SQDN，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGY75T120SQDN参考价格为11.24000美元。onsemi FGY75T120SQDN封装/规格：IGBT 1200V 75A UFS。您可以下载FGY75T120SQDN英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FGY40T120SMD是IGBT 1200V 80A TO-247，包括管封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-247供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为882W，该设备具有65ns的反向恢复时间trr，集电器Ic Max为80A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，40A，开关能量为2.7mJ（on），1.1mJ（关），栅极电荷为370nC，25°C时的Td为40ns/475ns，测试条件为600V、40A、10 Ohm、15V，Pd功耗为882W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为2 V，25℃时的连续集电极电流为80A，栅极发射极漏电流为+/-400nA，最大栅极发射极电压为+/-30V，持续集电极电流Ic-Max为40A。
FGY120T65SPD_F085是IGBT 650V 240A 882W TO-247，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.85V@15V、120A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、120A、5 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如53ns/102ns，开关能量设计为在6.8μJ（开）、3.5μJ（关）下工作，以及PowerTO-247-3供应商设备包，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，反向恢复时间trr为123ns，该设备的最大功率为882W，该设备具有882W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-247-3暴露垫，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，最大栅极发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极发射极漏电流为+/-250nA，栅极电荷为162nC，集电极脉冲Icm为378A，集电极Ic Max为240A，25 C时的连续集电极电流为240A，集电极-发射极电压VCEO Max为650V，集电极-发射器饱和电压为1.8V。
FGY160T65SPD_F085，带有电路图，包括240A集电器Ic Max，它们设计用于480A集电器脉冲Icm，IGBT类型如数据表注释所示，用于沟槽现场停止，提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，功率最大值为882W，该设备的反向恢复时间为132ns，该设备具有汽车AEC-Q101系列，供应商设备包为TO-247，开关能量为12.4mJ（开），5.7mJ（关），25°C时的Td为53ns/98ns，测试条件为400V，160A，15V，最大Vge Ic为2.05V@15V，160A，电压收集器-发射极击穿最大值为650V。
FGY75N60SMD是IGBT 600V 150A 750W POWER-247，包括管封装，它们设计为与to-247-3暴露焊盘封装外壳一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供标准等输入类型功能，供应商设备封装设计为在PowerTO-247-33中工作，以及现场停止IGBT类型，该设备也可作为750W最大功率使用。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该设备提供55ns反向恢复时间trr，该设备具有400V、75A、3欧姆、15V的测试条件，25°C时的Td为24ns/136ns，栅极电荷为248nC，集电器脉冲Icm为225A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、75A，开关能量为2.3mJ（开），770μJ（关），集流器Ic Max为150A。
