特色
- 低饱和电压
- 增强型
- 低压驱动(2.5V)
- 内置栅极到发射极保护二极管
- dV/dt保证
- 安装高度0.9mm,安装面积8.12mm2
应用
- 光控制闪存应用
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 5.93917 | 5.93917 |
10+ | 5.25834 | 52.58345 |
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