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APT66M60B2是MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX，包括通孔安装型，它们设计为使用POWER MOS 8商品名工作，数据表注释中显示了用于T-MAX-3的封装盒，提供Si、Pd等技术特性。功耗设计为1.135 kW，最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃。此外，下降时间为70 ns，器件的上升时间为85 ns，器件具有30 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为70 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极源极电阻为75 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为225ns，典型接通延迟时间为75ns，Qg栅极电荷为330nC，正向跨导最小值为65S，沟道模式为增强。
APT68GA60B是IGBT 600V 121A 520W TO-247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计为在最大Vge Ic下以2.5V@15V、40A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、40A、4.7欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如21ns/133ns，开关能量设计为715μJ（开）、607μJ，除了TO-247[B]供应商设备包，该设备还可以用作POWER MOS 8？系列此外，最大功率为520W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为298nC，集流器脉冲Icm为202A，集流器Ic最大值为121A。
APT66M60L是MOSFET N-CH 600V 70A TO-264，包括硅技术。
