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APT84M50B2是MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX，包括通孔安装型，它们设计用于T-MAX-3封装盒，技术如数据表说明所示，用于Si，提供信道数功能，如1信道，配置设计用于1 N信道，以及1 N信道晶体管类型，该器件也可用作1.135 kW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，器件的下降时间为50 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为84 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为65mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为155ns，典型接通延迟时间为60ns，Qg栅极电荷为340nC，正向跨导最小值为65S，沟道模式为增强。
APT84M50L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型开启延迟时间设计为60 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为70 ns，器件的漏极-源极电阻为65 mOhms，Qg栅极电荷为340 nC，Pd功耗为1.135 kW，封装外壳为TO-264，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为84A，且正向跨导最小值为65S，且下降时间为50ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT84F50L是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
