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IRGR3B60KD2PBF是IGBT 600V 7.8A 52W DPAK，包括管交替包装包装，它们设计用于0.012346盎司单位重量的操作，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作D-Pak供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为52W，该设备具有77ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为7.8A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为15.6A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，3A，开关能量为62μJ（开），39μJ（关），栅极电荷为13nC，25°C时的Td为18ns/110ns，测试条件为400V、3A、100 Ohm、15V，Pd功耗为52 W，最低工作温度范围为-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.4 V，25 C时的连续集电极电流为7.8 A，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
IRGR2B60KDTRRPBF是IGBT 600V 6.3A 35W DPAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.25V@15V、2A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于400V、2A、100欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如11ns/150ns，开关能量设计为在74μJ（开）、39μJ（关）下工作，以及D-Pak供应商设备包，该设备也可以用作68ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为35W，该器件采用带卷（TR）交替封装，该器件具有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为12nC，集电器脉冲Icm为8A，集电体Ic最大值为6.3A。
IRGR3B60KD2，带有由IR制造的电路图。IRGR3B6 KD2采用TO-252封装，是IGBT的一部分-单个。
