9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT70GR120B2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT70GR120B2参考价格为12.27000美元。微芯片技术APT70GR120B2封装/规格：IGBT 1200V 160A 961W TO247。您可以下载APT70GR120B2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT68GA60LD40是IGBT 600V 121A 520W TO-264，包括功率MOS 8？系列，它们设计用于管包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-264-3、to-264AA，提供标准等输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-264[L]供应商设备包装，该设备也可作为520W最大功率使用。此外，反向恢复时间trr为22ns，该设备提供121A集电器Ic Max，该设备具有600V的集电器发射极击穿最大值，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为202A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，40A，开关能量为715μJ（开），607μJ，栅极电荷为198nC，25°C下的Td为21ns/133ns，测试条件为400V、40A、4.7欧姆、15V。
APT68GA60B2D40是IGBT 600V 121A 520W TO-247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在最大Vge Ic上2.5V@15V、40A Vce下工作。测试条件如数据表注释所示，用于400V、40A、4.7 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如21ns/133ns，以及POWER MOS 8？系列，该器件也可以用作520W最大功率。此外，封装为管，该器件采用TO-247-3变型封装盒，该器件具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为198nC，集电器脉冲Icm为202A，集电器Ic最大值为121A。
APT6M100K是由APT制造的MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220。APT6M1000K采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH1000V 6A TO-220、N沟道1000V 6A（Tc）225W（Tc）通孔TO-220[K]。
