9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGB20N6S2D,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。FGB20N6S2D参考价格$3.366。onsemi FGB20N6S2D封装/规格:IGBT 600V 28A 125W TO263AB。您可以下载FGB20N6S2D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如FGB20N6S2D价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
FGB20N60SFD_F085,带有引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000079盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB以及标准输入类型,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为TO-263,该设备为单配置,该设备的最大功率为208W,反向恢复时间trr为111ns,集电器Ic最大值为40A,集电器发射极击穿最大值为600V,IGBT类型为场停,集电器脉冲Icm为60A,最大Vge Ic上的Vce为2.85V@15V,20A,开关能量为310μJ(开)、130μJ(关),栅极电荷为63nC,25°C时的Td为10ns/90ns,测试条件为400V、20A、10 Ohm、15V,Pd功耗为208 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V,集电极-发射极饱和电压为2.4V,25℃时的连续集电极电流为40A,栅极-发射极漏电流为400nA,最大栅极-发射极电压为+/-20V,连续集电极电压Ic-Max为20A。
FGB20N60SFD是IGBT 600V 40A 208W D2PAK,包括600V集电极-发射极击穿最大值,设计用于在2.8V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.046296盎司,提供400V、20A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能,160μJ(关断)开关能量,该设备也可作为TO-263AB(D2PAK)供应商设备包使用。此外,反向恢复时间trr为34ns,该器件提供208W最大功率,该器件具有83W的Pd功耗,封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB,安装类型为通孔,安装类型是表面安装,最大栅发射极电压为20V,输入类型为标准型,IGBT类型为场阻型,栅极-发射极漏电流为400nA,栅极电荷为65nC,集电极脉冲Icm为60A,集电极Ic最大值为40A,25℃时的连续集电极电流为40A;集电极-发射极电压VCEO最大值为600V,集电极-发射器饱和电压为2.8V。
FGB20N6S2是IGBT 600V 28A 125W TO263AB,包括28A集流器Ic Max,它们设计用于40A集流脉冲Icm,数据表注释中显示了用于30nC的栅极电荷,该30nC提供输入类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,以及to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB封装盒,该装置也可以用作管包装。此外,最大功率为125W,该设备在TO-263AB供应商设备包中提供,该设备具有25μJ(开)、58μJ(关)的开关能量,25°C时的Td开/关为7.7ns/87ns,测试条件为390V、7A、25 Ohm、15V,最大Vge Ic为2.7V@15V、7A,集电极-发射极击穿最大值为600V。