NGTD13T65F2WP
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 261
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 20.10457 | 20.10457 |
200+ | 7.78750 | 1557.50020 |
500+ | 7.51425 | 3757.12750 |
1000+ | 7.37763 | 7377.63200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥20.10457
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,032.54
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 开关能量 -
- 开通/关断延时 (25°C) -
- 试验条件 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 最大功率 -
- 门电荷 -
- IGBT型 场终止沟道
- 最大整流电流 (Icm) 120 A
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 30A
- 包装/外壳 晶粒
- 供应商设备包装 Die
NGTD13T65F2WP所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),NGTD13T65F2WP 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NGTD13T65F2WP价格参考¥20.104574,你可以下载 NGTD13T65F2WP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NGTD13T65F2WP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...