9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGP30N6S2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGP30N6S2参考价格为6.9992美元。onsemi FGP30N6S2封装/规格：IGBT 600V 45A 167W TO220AB。您可以下载FGP30N6S2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FGP30D-E3/73是DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带盒（TB）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AC、DO-15、轴向安装的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-204A C（DO-15），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，该器件提供950mV@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为70pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
FGP30DHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC，包括950mV@3A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AC（DO-15）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及35ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AC，DO-15，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为70pF@4V，1MHz。
FGP30DHE3/73是DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC，包括70pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以35ns反向恢复时间trr提供，该设备具有串联的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-204AC（DO-15），电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为950mV@3A。
