9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRG4CC50UB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRG4CC50UB参考价格为39.45552美元。Infineon Technologies IRG4CC50UB封装/规格：IGBT DIE。您可以下载IRG4CC50UB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRG4CC50UB价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRG4BH20K-SPBF是IGBT 1200V 11A 60W D2PAK，包括管交替包装包装，它们设计用于0.009185 oz单位重量的操作，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作D2PAK供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为60W，该设备具有11A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，电流收集器脉冲Icm为22A，最大Vce Vge Ic为4.3V@15V，5A，开关能量为450μJ（开），440μJ（关），栅极电荷为28nC，25°C的Td为23ns/93ns，测试条件为960V、5A、50 Ohm、15V，Pd功耗为60W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为3.17 V，25 C下的连续集电极电流为11 A，并且最大栅极-发射极电压为+/-20V，并且连续集电极电流Ic-Max为11A。
IRG4BH20K-S是IGBT 1200V 11A 60W D2PAK，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在4.3V@15V、5A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于960V、5A、50 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如23ns/93ns，开关能量设计为在450μJ（开）、440μJ（关）下工作，除了D2PAK供应商设备包外，该设备还可以用作60W最大功率。此外，该设备的包装为管式，该设备提供TO-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，该设备具有安装类型的表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为28nC，集电器脉冲Icm为22A，集电器Ic最大值为11A。
IRG4BH20K-STRL是由IR制造的IGBT 1200V 11A 60W D2PAK。IRG4BH20 K-STRL有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT 1200V 11 A 60W D2 Pak、Trans IGBT芯片N-CH 1200V 11B 60000mW 3引脚（2+Tab）D2PAK T/R。
