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RSD080N06TL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥5.56255
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.56
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
  • 最大功耗 15W(Tc)
  • 供应商设备包装 CPT3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 380 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 8A, 10V

RSD080N06TL 产品详情

RSD080N06TL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RSD080N06TL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RSD080N06TL价格参考¥5.562547,你可以下载 RSD080N06TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RSD080N06TL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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