9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的ZDS020N60TB,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZDS020N60TB参考价格为0.736美元。Rohm半导体ZDS020N60TB封装/规格:MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP。您可以下载ZDS020N60TB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如ZDS020N60TB价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
ZDM4306NTC是MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8,包括磁带和卷轴(TR)交替封装,它们设计用于SOT-2238封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,该器件还可以用作3W功率最大值。此外,漏极到源极电压Vdss为60V,该器件以350pF@25V输入电容Cis-Vds提供,该器件具有FET特性标准,电流连续漏极Id 25°C为2A,最大Id Vgs上的Rds为330mOhm@3A,10V,Vgs最大Id为3V@1mA。
ZDM4306NTA是MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8,包括3V@1mA Vgs th Max Id,它们设计用于SM8供应商设备包,Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中,用于330 mOhm@3A,10V,提供功率最大功能,如3W,包装设计用于磁带和卷轴(TR),其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供350pF@25V输入电容Cis-Vds,该器件具有2 N沟道(双)FET类型,FET特性为标准,漏极到源极电压Vdss为60V,电流连续漏极Id 25°C为2A。
ZD-RD5.1MB3-(M),带有RENESAS制造的电路图。ZD-RD5.1MB3-(M)采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。