9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RW1C015UNT2R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RW1C015UNT2R参考价格为1.224美元。Rohm Semiconductor RW1C015UNT2R封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT。您可以下载RW1C015UNT2R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RW1C015UNT2R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RW1A030APT2CR是MOSFET Trans-MOSFET P-CH 12V 3A，包括RW1A030AP系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供WEMT-6等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供700 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为75 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为240ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为22nC，正向跨导最小值为3.8S，沟道模式为增强。
RW1A025ZPT2R，带有ROHM制造的用户指南。RW1A025ZPT2R采用SOT-463封装，是IC芯片的一部分。
RW1C015UN T2R是ROHM制造的MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6。RW1C015UN T2R以SOT-563、SOT-666封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6。
