9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y12-80EX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y12-80EX价格参考1.196美元。Nexperia USA Inc.BUK7Y12-80EX封装/规格：MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8。您可以下载BUK7Y12-80EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BUK7Y12-40EX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与BUK7Y12-40E115零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供65 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为52 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为9.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为15nC，沟道模式为增强。
BUK7Y12-100EX，带有用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为66 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为18 ns，器件的漏极-源极电阻为8.1 mOhms，Qg栅极电荷为68 nC，Pd功耗为238 W，封装为卷轴，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为85 A，下降时间为66 ns，配置为三重共源。
BUK7Y12-55B，115是MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK，包括61.8A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在55V漏极到源极电压Vdss下工作。数据表注释中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供了FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了2067pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，功率最大值为105W，Rds On Max Id Vgs为12mOhm@20A、10V，系列为Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，供应商设备包为LFPAK、Power-SO8，Vgs th Max Id为4V@1mA。
