9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y3R0-40EX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y3R0-40EX参考价格$8.134。Nexperia USA Inc.BUK7Y3R0-40EX封装/规格：MOSFET N-CH 40V LFPAK56 PWR-SO8。您可以下载BUK7Y3R0-40EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BUK7Y25-80EX是MOSFET N沟道80 V 25 mo FET，包括卷轴封装，它们设计为与BUK7Y25-80E115零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供95W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.5 ns，上升时间为9.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为39 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为16.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.5ns，典型接通延迟时间为6.9ns，Qg栅极电荷为25.9nC，沟道模式为增强。
BUK7Y38-100EX带用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为22 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9.9ns，器件的漏极-源极电阻为24.5mOhms，Qg栅极电荷为30.9nC，Pd功耗为95W，零件别名为BUK7Y38-100E115，封装为卷轴式，封装盒为LFPAK-4，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为12.6 ns，配置为单一。
BUK7Y25-60EX是MOSFET N沟道80 V 14 mo FET，包括三重公共源极配置，它们设计为在6.4 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于34 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为LFPAK-4，器件采用卷筒封装，器件具有64W的Pd功耗，Qg栅极电荷为16.1nC，Rds漏极-源极电阻为15.7mOhm，上升时间为6ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为11.2ns，典型导通延迟时间为5.3ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V。
