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TSM130NB06LCR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、51A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、83W(Tc) 供应商设备包装: 8-PDFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥29.60898
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥29.61
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 37 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 8-PDFN (5x6)
  • 导通电阻 Rds(ON) 13毫欧姆@10A,10V
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、83W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Ta)、51A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2175 pF@30 V

TSM130NB06LCR 产品详情

TSM130NB06LCR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TSM130NB06LCR 由 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TSM130NB06LCR价格参考¥29.608975,你可以下载 TSM130NB06LCR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TSM130NB06LCR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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