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UJ3N120035K3S

  • 描述:场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 1200伏 最大功率: 429 W 电阻-RDS(On): 45毫欧姆 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 212.21697 212.21697
10+ 195.70315 1957.03158
100+ 167.11977 16711.97770
  • 库存: 1182
  • 单价: ¥212.21697
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥212.22
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 击穿电压(V(BR)GSS) 1200伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) -
  • 关闭电压 (VGS off) @ Id -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 最大正向电流 (Id) 63 A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2145皮法 @ 100V
  • 电阻-RDS(On) 45毫欧姆
  • 最大功率 429 W

UJ3N120035K3S 产品详情

UJ3N120035K3S所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),UJ3N120035K3S 由 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UJ3N120035K3S价格参考¥212.216970,你可以下载 UJ3N120035K3S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UJ3N120035K3S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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