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APTGT75H60T2G是POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2，包括SP2封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如SP2中使用的数据表注释所示，提供标准、配置等输入功能，设计用于全桥逆变器，以及250W最大功率，该器件还可以用作100A集流器Ic最大值。此外，电压集流器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集流器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，75A，输入电容Cies Vce为4.62nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT75H60T3G，带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、75A Vce的最大Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP3，提供250W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.62nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为100A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGT75SK120D1G是IGBT 1200V 110A 357W D1，包括单一配置，它们设计为在4mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于110A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及5345nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为357W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
