D系列IGBT是NPT（非穿通）器件，非常适合并联。它们具有低开关损耗和低尾电流，同时提供短路能力。该D系列系列还提供了方形反向偏置安全工作区（RBSOA）功能，改善了钳位电感负载电流，允许设备在无缓冲硬开关应用中安全切换。
特色
- NPT IGBT技术
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 方形RBSOA，无闩锁
- 高短路能力
- 正温度系数，便于并联
- MOS输入，电压控制
- 可选超快二极管
- 国际标准包
应用
- 交流电机速度控制
- 直流伺服和机器人驱动
- 直流截波器
- 不间断电源（UPS）
- 开关模式和谐振模式电源
IXDN55N120D1
- 描述:IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 450瓦 供应商设备包装: SOT-227B
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 231.48308 | 231.48308 |
| 10+ | 213.46274 | 2134.62749 |
| 100+ | 182.28134 | 18228.13400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥231.48308
-
数量:
- +
- 总计: ¥231.48
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- NTC热敏电阻 No
- 安装类别 机箱安装
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 参数配置 单个的
- 包装/外壳 SOT-227-4，迷你超直瞄
- IGBT型 NPT
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大集电极电流 (Ic) 100 A
- 供应商设备包装 SOT-227B
- 输入电容 (Cies) @ Vce 3.3 nF @ 25 V
- 最大功率 450瓦
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.8V @ 15V, 55A
- 集电极最大截止电流 3.8毫安
IXDN55N120D1 产品详情
IXDN55N120D1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXD3236A15CMR-G | 齐洛格 (Zilog) | 输出类别: 固定的 输出配置: 阳性的 拓扑结构: 美元 开关频率: 1.2兆赫 输出电流: 600毫安 供应商设备包装: SOT-25 | ¥5.32353 |
 | IXD3236A18CMR-G | 齐洛格 (Zilog) | 输出类别: 固定的 输出配置: 阳性的 拓扑结构: 美元 开关频率: 1.2兆赫 输出电流: 600毫安 供应商设备包装: SOT-25 | ¥5.32353 |
 | IXDN604SI | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~35伏 供应商设备包装: 8-SOIC-EP 安装类别: 表面安装 | ¥26.29173 |
 | IXDE509D1T/R | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 4.5伏~30伏 供应商设备包装: 6-DFN (4x5) 安装类别: 表面安装 | ¥26.05995 |
 | IXDE514SIA | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 4.5伏~30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥24.46652 |
 | IXDF404SIA | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~35伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥12.4433 |
| IXDF502D1 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~30伏 供应商设备包装: 6-DFN (4x5) 安装类别: 表面安装 | ¥19.25163 |
 | IXDF502SIA | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥24.95903 |
| IXDF504D1 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~30伏 供应商设备包装: 6-DFN (4x5) 安装类别: 表面安装 | ¥9.40128 |
| IXDF504D1T/R | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 闸门类型: IGBT、N通道、P通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~30伏 供应商设备包装: 6-DFN (4x5) 安装类别: 表面安装 | ¥19.06331 |
IXDN55N120D1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，IXDN55N120D1 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXDN55N120D1价格参考￥231.483084，你可以下载 IXDN55N120D1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXDN55N120D1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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