9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-GT100DA120UF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-GT100DA120UF参考价格为42.71000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-GT100DA120UF封装/规格：IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227。您可以下载VS-GT100DA120UF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-GP250SA60S是IGBT 600V 380A 893W SOT-227，包括1.058219盎司的单位重量，它们设计用于底盘安装型，数据表说明中显示了用于SOT-227-4微型BLOC的封装盒，该封装盒提供Si等技术功能，安装型设计用于底盘装置，以及SOT-227供应商设备封装，该设备也可以用作标准输入。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为893W，该设备具有380A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，电流收集器截止最大值为100μa，IGBT类型为PT，Trench，最大Vge Ic上的Vce为1.3V@15V，100A，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为893W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，25℃时的连续集电极电流为380 A，栅极-发射极漏电流为+/-350 nA，最大栅极-发射极电压为20 V，连续集电极电流Ic Max为380 A。
VS-GP300TD60S是IGBT，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.45V@15V、300A Vce运行。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了供应商设备包功能，如双INT-a-PAK，功率最大值设计为1136W，以及1.136 kW Pd功耗，该装置也可用作双INT-A-PAK（3+8）包装箱。此外，NTC热敏电阻为否，该器件为底盘安装型，该器件具有安装型底盘安装，其最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为20 V，输入为标准，IGBT类型为PT、Trench、，栅极-发射极漏电流为+/-500 nA，集电极Ic最大值为580A，集电极截止电流最大值为150μA，连续集电极电流Ic最大为580 A，25℃时的连续集电极电压为580 A。配置为半桥，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V。
VS-GP400TD60S是IGBT，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于半桥配置，数据表注释中显示了用于758 a的25 C的连续集电极电流，其提供了758 a等持续集电极电流Ic Max功能，集电极截止最大值设计用于200μa，除了758A集流器Ic Max之外，该器件还可以用作+/-750 nA栅极发射极漏电流。此外，IGBT类型为PT，Trench，该器件提供标准输入，该器件具有20 V的最大栅极-发射极电压，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为底盘安装，安装方式为底盘，NTC热敏电阻为否，封装外壳为双INT-a-PAK（3+8），Pd功耗为1.563 kW，最大功率为1563W，供应商设备包为Dual INT-A-PAK，技术为Si，最大Vge Ic上的Vce为1.52V@15V，400A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
