经济确认™3 650 V,200 A六组IGBT模块,具有低饱和和快速TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制4二极管和NTC。也可作为PressFIT安装技术的变体:FS200R07N3E4R_B11。
特色
- 将阻断电压能力提高到650 V
- 高短路能力
- 自限短路电流
- Tvj操作=150°C
- 集成NTC温度传感器
- 焊料接触技术
- 铜基板
- 标准外壳
- 紧凑型模块概念
- 优化客户的开发周期时间和成本
- 配置灵活性
应用
- 电机控制和驱动
- 工业加热和焊接
- 房间空调器
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 1638.34398 | 1638.34398 |
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经济确认™3 650 V,200 A六组IGBT模块,具有低饱和和快速TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制4二极管和NTC。也可作为PressFIT安装技术的变体:FS200R07N3E4R_B11。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。