A1P25S12M3-F
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 197 W 供应商设备包装: ACEPACK1.
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 364.17301 | 364.17301 |
10+ | 339.75719 | 3397.57196 |
36+ | 335.87739 | 12091.58611 |
- 库存: 0
- 单价: ¥331.07296
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数量:
- +
- 总计: ¥364.17
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 参数配置 三相逆变器
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- NTC热敏电阻 Yes
- 最大集电极电流 (Ic) 25 A
- 集电极最大截止电流 100A.
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 供应商设备包装 ACEPACK1.
- 最大功率 197 W
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.45V @ 15V, 25A
- 输入电容 (Cies) @ Vce 1.55 nF@25 V
A1P25S12M3-F 产品详情
STMicroelectronics在工业电源应用中提供ACEPACK 1和ACEPACK 2电源模块,具有六组和转换器+逆变器+制动器(CIB)拓扑结构。这包括工业电机驱动器、太阳能电池板、焊接工具和电源管理解决方案。这些高度可靠的电源模块采用嵌入式NTC热敏电阻,在传导损耗和开关损耗之间提供最佳折衷,最大限度地提高硬开关电路中敢达20kHz的任何转换器系统的效率,适用于3kW至30kW的应用范围。STMicroelectronics的功率半导体器件提供压配合和额外的焊料选项,以实现灵活和稳定的安装。由于其高配置灵活性,这些强大的功率模块可以在不同的IGBT、MOSFET、,以及SiC功率开关应用,确保了紧凑的设计和经济高效的系统<strong>功能:</strong>紧凑的模块概念、配置灵活性、压配合和焊接引脚选项、高功率密度、可靠且易于安装的系统、集成的温度传感器、低杂散电感模块设计、PCB布局设计、高可靠性和高质量、符合RoHS的模块、电子充电器、焊接、太阳能、工业、自动化、风扇、电机驱动器、UPS
A1P25S12M3-F所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,A1P25S12M3-F 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。A1P25S12M3-F价格参考¥331.072959,你可以下载 A1P25S12M3-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询A1P25S12M3-F规格参数、现货库存、封装信息等信息!
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...