我们著名的34 mm 1200V斩波IGBT模块，带有快速沟槽/场阻IGBT4和发射极控制4二极管，是您设计的正确选择。
特色
- 延长工作温度T vj op
- 低开关损耗
- 低电压CEsat
- T vj操作=150°C
- 具有正温度系数的V CEsat
- 隔离底板
- 标准外壳
- 灵活性
- 最佳电气性能
- 最高可靠性
应用
潜在应用
FD150R12RT4HOSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 790 W 供应商设备包装: Module
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 481.79770 | 481.79770 |
- 库存: 397
- 单价: ¥481.79771
-
数量:
- +
- 总计: ¥481.80
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- NTC热敏电阻 No
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 最大集电极电流 (Ic) 150 A
- 集电极最大截止电流 1毫安
- 输入电容 (Cies) @ Vce 9.3 nF @ 25 V
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 参数配置 单斩波器
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.15V @ 15V, 150A
- 最大功率 790 W
FD150R12RT4HOSA1 产品详情
FD150R12RT4HOSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FD1T048RG | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OM1 48F OFNR | ¥74.23973 |
| FD1Y004RF | 百通 (Belden) | FD TO_CPE OM1 4F OFNR | ¥23.68428 |
| FD1T008RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OM1 8F OFNR | ¥23.90157 |
| FD1T012RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OM1 12F OFNR | ¥24.04643 |
| FD1Y006RF | 百通 (Belden) | FD TO_CPE OM1 6F OFNR | ¥24.40857 |
| FD1B008LB | 百通 (Belden) | FD BO OM1 8F LS/OFNR SU_2.0 | ¥36.7215 |
| FD1Y036RF | 百通 (Belden) | FD OM1 TO_CPE 36F OFNR | ¥57.29134 |
| FD1T018RF | 百通 (Belden) | FD OM1 TO_PVC 18F OFNR | ¥29.91318 |
| FD1T002RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OM1 2F OFNR | ¥17.2381 |
| FD1T004RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OM1 4F OFNR | ¥17.31053 |
FD150R12RT4HOSA1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，FD150R12RT4HOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FD150R12RT4HOSA1价格参考￥481.797708，你可以下载 FD150R12RT4HOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FD150R12RT4HOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
