62 mm 1700 V，150 A双IGBT模块，带TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制二极管。
特色
- 延长工作温度Tvj op
- 低VCEsat
- 无与伦比的鲁棒性
- 具有正温度系数的V CEsat
- 隔离底板；标准外壳
- 4 kV AC 1分钟绝缘
- CTI>400的包装
- 高爬电和净空距离
- 灵活性
- 最佳电气性能
- 最高可靠性
应用
- 电机控制和驱动
- 太阳能系统解决方案
- 风能系统
- 牵引
FF150R17KE4HOSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 供应商设备包装: Module
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1056.01482 | 1056.01482 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1,056.01482
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,056.01
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 参数配置 2独立
- 输入值 标准
- NTC热敏电阻 No
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 最大集电极电流 (Ic) 150 A
- 集电极最大截止电流 1毫安
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 1700伏
- 最大功率 -
- 输入电容 (Cies) @ Vce 12 nF @ 25 V
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 150A
FF150R17KE4HOSA1 产品详情
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FF150R17KE4HOSA1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，FF150R17KE4HOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FF150R17KE4HOSA1价格参考￥1056.014820，你可以下载 FF150R17KE4HOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FF150R17KE4HOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
