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FS50R06W1E3_B11，带引脚细节，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于托盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供模块等封装外壳功能，配置设计用于IGBT逆变器以及205 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极-发射器饱和电压为1.45 V，25℃时的连续集电极电流为70 a，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射器电压为+/-20 V。
FS50R06W1E3是IGBT模块N-CH 600V 70A，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于EASY1B，该EASY1B提供螺丝等安装方式功能，其最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+150℃，该器件也可用作+/-20V的最大栅极发射极电压。此外，25 C时的连续集电极电流为70 A，该设备采用十六进制配置，该设备具有600 V的集电极-发射极电压VCEO最大值。
FS50R06YE3是IGBT模块N-CH 600V 60A，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于六角配置，25 C下的连续集电极电流如数据表注释所示，用于60 a，提供最大栅极-发射极电流功能，例如+/-20 V，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该设备也可以用作螺钉安装型。此外，封装外壳为EASY2，该器件在IGBT硅模块产品中提供。
