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FS75R07N2E4BOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥2,058.69177
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,058.69
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 输入值 标准
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 参数配置 三相逆变器
  • 集电极最大截止电流 1毫安
  • NTC热敏电阻 Yes
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 75 A
  • 最大功率 250瓦
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 4.6 nF @ 25 V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95V@15V,75A

FS75R07N2E4BOSA1 产品详情

经济确认™ 2 650 V,75 A六组IGBT模块,带TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制4二极管和NTC。也可作为PressFIT安装技术的变体:FS75R07N2E4_B11。

特色

  • 将阻断电压能力提高到650 V
  • 高短路能力
  • 自限短路电流
  • Tvj操作=150°C
  • 集成NTC温度传感器
  • 铜基板
  • 焊料接触技术
  • 标准外壳
  • 紧凑型模块概念
  • 优化开发周期时间和成本
  • 配置灵活性

应用

潜在应用

         
FS75R07N2E4BOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FS75R07N2E4BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FS75R07N2E4BOSA1价格参考¥2058.691766,你可以下载 FS75R07N2E4BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FS75R07N2E4BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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