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FS75R12KE3B9BOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 105 A 最大功率: 355 W 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3

  • 库存: 14
  • 单价: ¥748.33643
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,245.01
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 参数配置 三相逆变器
  • 集电极最大截止电流 1毫安
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.15V @ 15V, 75A
  • 最大集电极电流 (Ic) 105 A
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 最大功率 355 W
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 5.3 nF @ 25 V

FS75R12KE3B9BOSA1 产品详情

经济确认™2 1200 V,75 A六组IGBT模块,带IGBT3和NTC。

特色

  • 高功率密度
  • 确立了Econo模块概念
  • 集成温度传感器可用
  • 低杂散电感模块设计
  • 符合RoHS的模块
  • 紧凑型模块概念
  • 优化客户的开发周期时间和成本
  • 配置灵活性
  • 快速、可靠、低成本的安装理念

应用

  • 电机控制和驱动
  • 工业加热和焊接
  • 房间空调器
FS75R12KE3B9BOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FS75R12KE3B9BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FS75R12KE3B9BOSA1价格参考¥748.336428,你可以下载 FS75R12KE3B9BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FS75R12KE3B9BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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