9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT75GN120B2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75GN120B2G参考价格$15.04500。微芯片技术APT75GN120B2G封装/规格：IGBT 1200V 200A 833W TMAX。您可以下载APT75GN120B2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT75GN120B2G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT75F50L是MOSFET N-CH 500V 75A TO-264，包括0.352740 oz单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-264中，提供Si等技术特性，配置设计为单级工作，以及1.04 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为39 ns，器件的上升时间为55 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为75 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为290nC，正向跨导最小值为55S，沟道模式为增强。
APT75F50B2是MOSFET N-CH 500V 75A TO-247，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供典型的开启延迟时间功能，如45 ns，典型的关闭延迟时间设计为120 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为55 ns，器件的漏极-源极电阻为75 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为290 nC，Pd功耗为1.04 kW，封装外壳为T-Max，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为75A，并且正向跨导Min为55S，并且下降时间为39ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
APT75GN120B2是由APT制造的IGBT 1200V 200A 833W TMAX。APT75GN220B2采用TO-247-3变体封装，是IGBT的一部分-单体，支持IGBT 1200V 200 A 833W TMAX。
