9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXGT20N60B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXGT20N60B价格参考2.92402美元。IXYS IXGT20N60B封装/规格：IGBT 600V 40A 150W TO268。您可以下载IXGT20N60B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXGT20N140C3H1是IGBT 1400V 42A 250W TO268，包括GenX3？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于GenX3，以及to-268-3、D3Pak（2引线+标签）、to-268AA包装盒，该设备也可作为标准输入类型。此外，安装类型为表面安装，该器件在TO-268供应商器件包中提供，该器件最大功率为250W，反向恢复时间trr为70ns，集电器Ic最大值为42A，集电器发射极击穿最大值为1400V，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为108A，最大Vge Ic上的Vce为5V@15V，20A，开关能量为1.35mJ（开），440μJ（关），栅极电荷为88nC，25°C时的Td为19ns/110ns，测试条件为700V，20A，5欧姆，15V，Pd功耗为250W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.4 kV，集电极-发射极饱和电压为1.4kV，25℃时的连续集电极电流为42A，栅极-发射极漏电流为100nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
IXGT20N120BD1是IGBT 1200V 40A 190W TO268，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.4V@15V、20A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于960V、20A、10 Ohm、15V，提供25°C的Td开-关特性，如25ns/150ns，开关能量设计为在2.1mJ（关）下工作，以及TO-268供应商设备包，该设备也可以用作40ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为190W，该器件采用散装封装，该器件具有TO-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、TO-268AA封装外壳，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为72nC，集电器脉冲Icm为100A，集电器Ic最大值为40A。
IXGT20N120B是IGBT 1200V 40A 190W TO268，包括40A集电器Ic Max，它们设计用于80A集电器脉冲Icm，数据表注释中显示了用于72nC的栅极电荷，该72nC提供IGBT类型的功能，如PT，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作to-268-3，D3Pak（2引线+接线片），TO-268AA包装箱。此外，包装为散装，设备提供190W最大功率，设备具有TO-268供应商设备包，开关能量为2.1mJ（关），25°C时的Td为25ns/150ns，测试条件为960V、20A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为3.4V@15V，20A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
