9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXGT20N60BD1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IXGT20N60BD1参考价格为5.2732美元。IXYS IXGT20N60BD1封装/规格:IGBT 600V 40A 150W TO268。您可以下载IXGT20N60BD1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXGT20N140C3H1是IGBT 1400V 42A 250W TO268,包括GenX3?系列,它们设计用于管式包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.158733盎司,提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于GenX3,以及to-268-3、D3Pak(2引线+标签)、to-268AA包装盒,该设备也可作为标准输入类型。此外,安装类型为表面安装,该器件在TO-268供应商器件包中提供,该器件最大功率为250W,反向恢复时间trr为70ns,集电器Ic最大值为42A,集电器发射极击穿最大值为1400V,IGBT类型为PT,集电器脉冲Icm为108A,最大Vge Ic上的Vce为5V@15V,20A,开关能量为1.35mJ(开),440μJ(关),栅极电荷为88nC,25°C时的Td为19ns/110ns,测试条件为700V,20A,5欧姆,15V,Pd功耗为250W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为1.4 kV,集电极-发射极饱和电压为1.4kV,25℃时的连续集电极电流为42A,栅极-发射极漏电流为100nA,最大栅极-发射极电压为+/-20V。
IXGT20N60B是IGBT 600V 40A 150W TO268,包括600V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、20A Vce运行,测试条件如数据表注释所示,用于480V、20A、10 Ohm、15V,提供Td开-关25°C特性,如15ns/150ns,开关能量设计为在150μJ(开)、700μJ(关)下工作,除了TO-268供应商设备包,该设备还可以用作HiPerFAST?系列此外,最大功率为150W,该设备采用管式封装,该设备具有TO-268-3、D3Pak(2引线+接线片)、TO-268AA封装外壳,安装类型为表面安装,输入类型为标准,栅极电荷为90nC,集电器脉冲Icm为80A,集电器Ic最大值为40A。
IXGT20N120BD1是IGBT 1200V 40A 190W TO268,包括40A集流器Ic Max,它们设计用于100A集流脉冲Icm,栅极电荷如数据表注释所示,用于72nC,提供输入类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,以及to-268-3、D3Pak(2引线+接线片)、to-268AA封装外壳,该装置也可以用作散装包装。此外,功率最大值为190W,该设备以40ns反向恢复时间trr提供,该设备具有供应商设备包的TO-268,开关能量为2.1mJ(关),25°C时的Td为25ns/150ns,测试条件为960V、20A、10 Ohm、15V,最大Vge Ic上的Vce为3.4V@15V,20A,集电极-发射极击穿最大值为1200V。