9icnet为您提供由onsemi设计和生产的AFGB40T65SQDN，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AFGB40T65SQDN参考价格为5.04000美元。onsemi AFGB40T65SQDN封装/规格：650V/40A FS4 IGBT TO263 A。您可以下载AFGB40T45SQDN英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FGB40N60SM是IGBT 600V 80A 349W D2PAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.046296盎司单位重量的操作，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-263AB（D2PAK）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的功率最大为349W，该设备具有80A的电流收集器Ic Max，电压收集器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为磁场停止，电流收集器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为870μJ（开），260μJ（关），栅极电荷为119nC，25°C时的Td为12ns/92ns，测试条件为400V、40A、6 Ohm、15V，Pd功耗为349 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.3 V，25 C时的连续集电极电流为80 A，栅极发射极漏电流为+/-400nA，最大栅极发射极电压为+/-20V。
FGB3440G2_F085和用户指南，包括400V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在1.2V@4V、6A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.046296盎司，提供Td开/关25°C功能，如1μs/5.3μs，供应商设备包设计用于to-263AB，以及汽车、AEC-Q101、EcoSPARKR系列，该设备也可以用作166W最大功率。此外，Pd功耗为166W，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-40℃，它的最大工作温度范围为+175 C，最大栅极-发射极电压为+/-10 V，输入类型为逻辑，栅极电荷为24nC，集电极电流Ic Max为26.9A，连续集电极电流最大值为25 A，25 C时的连续集电极电压为26.9 A，配置为单，集电极-发射极电流VCEO Max为400 V，集电极-发射极饱和电压为1.6V。
FGB40N6S2T是IGBT 600V 75A 290W TO263AB，包括75A集流器Ic Max，它们设计用于180A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于35nC的栅极电荷，该35nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，最大功率为290W，该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有115μJ（开）、195μJ（关）的开关能量，25°C时的Td开/关为8ns/35ns，测试条件为390V、20A、3 Ohm、15V，Vce on Max Vge Ic为2.7V@15V，20A，电压收集器-发射器击穿最大值为600V。
FGB40N6S2是IGBT 600V 75A 290W TO263AB，包括管封装，它们设计为与to-263AB供应商设备包一起运行，数据表说明中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA的包壳，该包具有表面安装、输入类型设计为标准工作，以及8ns/35ns Td开关25°C等安装类型功能，该器件还可以用作75A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为600V，该器件在390V、20A、3欧姆、15V测试条件下提供，该器件具有35nC的栅极电荷，最大功率为290W，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，20A，电流收集器脉冲Icm为180A，开关能量为115μJ（开）、195μJ（关）。
