9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGP5N60UFDTU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGP5N60UFDTU参考价格$2.818。onsemi FGP5N60UFDTU封装/规格：IGBT 600V 10A 81W TO220。您可以下载FGP5N60UFDTU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FGP5N60LS是IGBT 600V 10A 83W TO220，包括管式封装，设计用于0.063493 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220-3供应商设备包。此外，功率最大值为83W，该器件提供10A集流器Ic Max，该器件具有600V的集流器-发射极击穿最大值，IGBT类型为场停，集流器脉冲Icm为36A，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@12V，14A，开关能量为38μJ（开），130μJ（关），栅极电荷为18.3nC，25°C时的Td为4.3ns/36ns，测试条件为400V、5A、10 Ohm、15V，Pd功耗为83 W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，25 C时的连续集电极电流为10 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为20V。
FGP50DHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 5A GP20，包括950mV@5A正向电压Vf Max。如果它们设计用于200V电压DC反向Vr Max，则数据表说明中显示了用于GP20的供应商设备包，该GP20提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计用于SUPERECTIFIERR，以及35ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AA、DO-27，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为100pF@4V，1MHz。
FGP50DHE3/73是DIODE GEN PURP 200V 5A GP20，包括100pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作DO-201AA、DO-27、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB），该设备提供35ns反向恢复时间trr，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为GP20，直流反向电压Vr最大值为200V，正向电压Vf最大值为950mV@5A。
