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APT40GP60SG是IGBT 600V 100A 543W D3PAK,包括POWER MOS 7R系列,它们设计用于管式封装,数据表说明中显示了用于to-268-3、D3PAK(2引线+接线片)、to-268AA的封装盒,该封装盒提供输入型功能,如标准型,安装型设计用于表面安装,以及D3[S]供应商设备封装,该器件还可以用作543W功率最大值。此外,集电器Ic最大值为100A,该器件提供600V电压集电器-发射极击穿最大值,该器件具有IGBT类型的PT,集电器脉冲Icm为160A,最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V,40A,开关能量为385μJ(开),352μJ(关),栅极电荷为135nC,25°C时的Td为20ns/64ns,测试条件为400V、40A、5欧姆、15V。
APT40GP60JDQ2是IGBT 600V 86A 284W SOT227,包括600V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在2.7V@15V、40A Vce on Max Vge Ic下工作,供应商设备包如数据表注释所示,用于ISOTOPR,提供POWER MOS 7R等系列功能,功率最大值设计为284W,以及SOT-227-4、miniBLOC封装外壳,该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外,安装类型为底盘安装,该设备提供4.61nF@25V输入电容Cies Vce,该设备具有输入标准,IGBT类型为PT,集电器Ic最大值为86A,集电器截止值最大值为500μa,配置为单一。
APT40GP60LDF3带有由APT制造的电路图。APT40GPS60LDF3采用TO3PL封装,是IC芯片的一部分。